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中国突破紫外DUV激光光源技术剑指3nm芯片

   时间:2025/4/24      阅读:22    关键词:芯片

 

中国科学院宣布成功研发全固态深紫外DUV激光光源技术

最终输出193纳米波长的激光光束与主流DUV光刻一致可支持3nm芯片制造

 

中国科学院宣布成功研发全固态深紫外DUV激光光源技术

 

用四次谐波转换FHG1030nm激光转换为258nm,输出功率1.2W用光学参数放大1030nm激光转换1553nm,输出功率700mW两路激光通过串级硼酸锂晶体混合,生成193nm波长激光光束

中国科学院宣布成功研发全固态深紫外DUV激光光源技术

 

最终获得激光平均功率70mW,频率6kHz,线宽低于880MHz,半峰全宽小于0.11pm,光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。

 

ASMLDUV用氟化氙准分子激光,通过氩氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放193nm波长光子,以高能量短脉冲发射,输出功率100-120W,频率8k-9kHz,通过光学系统调整,用于光刻设备。