时间:2025/4/24 阅读:22 关键词:芯片
中国科学院宣布成功研发全固态深紫外DUV激光光源技术
最终输出193纳米波长的激光光束,与主流DUV光刻一致,可支持3nm芯片制造
用四次谐波转换FHG,将1030nm激光转换为258nm,输出功率1.2W。用光学参数放大,1030nm激光转换1553nm,输出功率700mW,两路激光通过串级硼酸锂晶体混合,生成193nm波长激光光束
最终获得激光平均功率70mW,频率6kHz,线宽低于880MHz,半峰全宽小于0.11pm,光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。
ASML的DUV用氟化氙准分子激光,通过氩氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子,释放193nm波长光子,以高能量短脉冲发射,输出功率100-120W,频率8k-9kHz,通过光学系统调整,用于光刻设备。
上一篇:曝华为将推新一代AI芯片昇腾920芯片
下一篇:没有ASML EUV技术中国在3nm芯片突破