随着中美芯片战争的升温，中国正全力支持Al-ASLC，华为的旗舰芯片抢走了风头。但随着Ascend 920将于25年下半年进入量产的传言，《商业时报》对SMlC的N+3工艺和该芯片能否进入顶级HBM提出了质疑。

 

 

据中国媒体mydrivers报道，华为即将推出的Al芯片Ascend 920可以作为NViDlA H20的潜在替代品，后者现在面临着对中国无限期的出口限制。市场传言称，该芯片将使用SMC的N+3工艺制造，并与HBM3存储器配对。

 

但据《商业时报》报道，SMlc的N+3工艺——尽管声称晶体管密度与台积电的6nm相似——支持EUV工具的备份，并依赖于DUv多重图案化，这可能会降低产量和效率，使其在成本上难以与美国芯片相媲美。

 

据《商业时报》报道，在这种情况下，中国的芯片行业可能会转向人工智能算法来帮助缩小硬件差距。Wccftech之前的一份报告显示，华为的Ascend 910c可以达到NVlDLA H100性能的60%，提供了强大的推理结果。

 

与此同时，正如《商业时报》所指出的那样，华为的Ascend 920能否获得高质量的HBM仍然是另一个关键瓶颈。

《商业时报》驳斥了华为可以通过中间公司拆焊获得可重复使用的HBM芯片的传言，称这是不切实际的，特别是考虑到铝处理器的超高速要求。由于中国的存储器制造商仍然无法生产HBM，该报告称，这仍然是中国本土铝ASIC发展的主要障碍。