英飞凌infineon小型分立功率MOSFET在实现空间节约、成本降低和易于设计的应用方面发挥着关键作用。此外，更高的功率密度可以带来布局路由灵活性和整体系统尺寸的减小。通过使用新的同类最佳OptiMOS™扩展当前的PQFN 2x2产品组合。

 

英飞凌infineon提供了针对小占地面积内的效率和性能进行优化的基准解决方案。新产品非常适用于服务器、电信、便携式和无线充电器的开关电源（SMPS）中的同步整流等应用。其他应用还包括用于无人机小型无刷电机的电动速度控制器。

 

新型OptiMOS 6 40 V和OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET进一步优化了经验证的OptiMOS技术，实现了高性能设计。它们在超小型PQFN 2x2 mm²封装中提供了领先的硅技术、封装可靠性和卓越的热阻（R thJC，最大=3.2 K/W）。

 

新设备将业界领先的低导通电阻R DS（on）与业界领先的品质因数（FOM、Q G和Q OSS）相结合，实现卓越的动态切换性能。因此，具有超低开关和降低传导损耗的MOSFET确保了最佳的能源效率和功率密度，同时简化了热管理。

 

凭借紧凑的PQFN 2x2 mm²封装外形，OptiMOS电源开关能够为最终用户应用提供更小、更灵活的几何外形，从而改善系统外形。MOSFET有助于可靠的系统设计，减少并联需求，显著降低空间和系统成本。

 

英飞凌infineon推出新型OptiMOS™ 功率MOSFET占地面积小，节省空间和成本，同时优化各种应用的效率和性能。