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中国6N级高纯氟化氢突破

   时间:2026/7/23      阅读:81    关键词:芯片

 

中国在半导体关键材料领域确实取得了一项重大突破山东滨化集团成功量产了纯度达到6N99.9999%的半导体用高纯氟化氢,打破了国外企业长达二十多年的技术垄断。

这一里程碑式的突破,标志着中国在半导体先进制程关键材料上,正从“有没有”迈向“好不好”的新阶段。

中国6N级高纯氟化氢突破

 

核心技术指标:

产品纯度达到6N级(99.9999%),处于国内领先、国际一流水平。

 

关键应用:

6N级高纯氟化氢是适配28纳米及以下先进制程的必需材料。在芯片制造中,它如同“精密刻刀”和“血液”,用于干法蚀刻、腔体清洁等关键工艺,其纯度直接影响晶圆良率。

 

如何实现技术突破

5N6N的跨越,并非简单的提纯,而是一整套全新纯化体系的建立。滨化集团主要从四个方面实现了系统化技术攻关:

 

工艺突破:

攻克了氟化氢中痕量水、二氧化碳、含氧有机物等互溶杂质的去除难题,设计了多重精馏耦合系统。

 

工程突破:

突破了选材杂质析出控制与流场循环技术,确保制备过程不受污染。

 

检测突破:

自主开发了密闭精准取样系统和高灵敏分析方案,确保分析数据真实可靠。

 

充装突破:

突破了钢瓶预处理防护与杂质置换脱除技术,守住产品出厂的最后一关。

 

意义重大

打破长期垄断:

在此之前,中国6N级高纯氟化氢长期完全依赖进口,国外企业垄断了全球约80% 的市场份额。这种材料的价格高达200万元/吨以上。

 

保障产业链安全:

此次突破填补了国内高纯氟化氢的产能空白,为国内芯片制造先进制程产线提供了稳定、安全的国产化材料保障,筑牢了我国半导体产业链供应链的安全屏障。

 

技术外溢效应:

除了气体项目,滨化集团联合天津大学完成的超高纯电子级氢氟酸项目,其产品指标已优于SEMI-G5级,并成功导入14纳米先进制程的半导体终端客户。