据6月29日官方消息，韩国政府与三星电子、SK海力士共同宣布了一项规模空前的半导体产业投资计划。

总额800万亿韩元，在5年内将韩国国内的DRAM产能提升一倍，西南部三星电子与SK海力士各承建两座工厂，约800万亿韩元投向光州、全罗道区域，建设四座存储芯片晶圆厂。

三星和SK海力士将共同投资81万亿韩元，在忠清道建设先进封装基地。

该基地将专注于AI高带宽存储（HBM） 的扩产配套需求。韩国政府计划在未来15年内投入30万亿韩元，用于支持从芯片研发、设计到测试的全产业链。