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IC芯片N沟道MOS场效应管配置电路图

   时间:2023/6/8      阅读:147    关键词:MOS场效应管

 

IC芯片N沟道MOS场效应管配置电路图

 

IC芯片N沟道MOS场效应管配置电路图

上图MOS场效应管继电器开关电路以公共源极配置连接。

在零电压输入、LOW条件、VGS值的情况下,栅极驱动不足以打开通道,晶体管处于“OFF”状态。

 

VGS增加到高于MOSFET的下阈值电压VT时,通道打开,电流流动,继电器线圈工作。

 

增强型MOSFET作为常开开关工作,非常适合开关继电器等小负载。

 

EMOS场效应管具有高的“关”电阻,但具有中等的“导通”电阻,此电阻适用于大多数应用,因此在为特定的开关应用选择一个时,需要考虑其RDS值。