第一步：测量IC芯片单结晶体管的PN结正向电阻

将万用表置R×1k档或R×100，测量发射极

 

如果与任一基极间的正向电阻

正常值=几千欧~十几千欧

它比普通二极管电阻值大

 

反向电阻阻值：趋于无穷大

 

一般情况，正向电阻阻值 > 100倍反向电阻阻值

 

 

第二步：测量IC芯片单结晶体管的基极电阻RBB

万用表仍置于R×1k或R×100档

测量基极b1、b2间的阻值

阻值应在2～10kΩ范围内

若阻值过大或过小，不可用．

 

 

第二步：测量IC芯片单结晶体管的负阻特性

测负阻特性

注意：在基极b1～b2间，外接10V直流电源

如上图所示，

正常：万用表表针应在无穷大处

单结晶体管处于截止状态，但末达到负阻区，发射极电流小

 

若：万用表表针向右方偏转，单结晶体管无负阻特性，不可用。