| Parametrics | IPP65R190CFD |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.53 ; 1.53 |
| ID (@25°C) max | 17.5 A |
| ID max | 17.5 A |
| IDpuls max | 57.2 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 151 W |
| Package | TO-220 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 68 nC |
| QG | 68 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 190 mΩ |
| RDS (on) max | 190 mΩ |
| Rth | 0.83 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.83 K/W |
| Special Features | fast recovery diode |
| VDS max | 650 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3.5 V 4.5 V |
650V CoolMOS的更换™ CFD2为600V CoolMOS™ CFD7
650V CoolMOS™ CFD2是英飞凌第二代市场领先的高压CoolMOS™ 集成快体二极管的MOSFET。CFD2装置是600V CFD的继任者，具有改进的能源效率。与竞争对手的零件相比，较软的换向行为以及因此更好的EMI行为使该产品具有明显的优势。
功能概述
650V技术，集成快体二极管
硬换向期间的有限电压过冲
与600V CFD技术相比，Qg显著降低
最大RDS（开启）比典型RDS（开启
易于设计
与600V CFD技术相比价格更低
优势
由于体二极管重复换向时的低Qrr，开关损耗低
自限di/dt和dv/dt
低Qoss
减少开启和开启延迟时间
杰出的CoolMOS™ 质量
应用
电信
服务器
太阳的
HID灯镇流器
LED照明
电动汽车
