| Parametrics | IRL2910 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.94 |
| ID (@25°C) max | 55 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 200 W |
| Package | TO-220 |
| Polarity | N |
| QG (typ @4.5V) | 93.3 nC |
| Qgd | 54 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 26 mΩ |
| RthJC max | 0.75 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 1.5 V 1 V 2 V |
| VGS max | 16 V |
TO-220封装中的100V单N沟道功率MOSFET
功率MOSFET的IR MOSFET系列采用成熟的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电的应用。这些设备有各种表面安装和通孔封装，具有行业标准封装，便于设计。
功能概述
用于宽SOA的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化
根据JEDEC标准进行产品鉴定
针对低于100kHz的切换应用优化的硅
行业标准通孔电源包
高电流额定值
优势
增加了坚固性
分销合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质
低频应用中的高性能
标准引脚输出允许插入式更换
高电流能力
