| Parametrics | IRFB3206 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 1.05 |
| ID (@25°C) max | 210 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot max | 300 W |
| Package | TO-220 |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 120 nC |
| Qgd | 35 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 3 mΩ |
| RthJC max | 0.5 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2 V 4 V |
| VGS max | 20 V |
60V单N沟道IR MOSFET™ TO-220AB包装
IR MOSFET™ 功率MOSFET家族利用经验证的硅工艺，为设计师提供了广泛的设备组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电的应用。这些设备有各种表面安装和通孔封装，具有行业标准封装，便于设计。优化的栅极驱动器选项使设计人员能够灵活选择超级、逻辑或正常级别的驱动器。
功能概述
针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化
根据JEDEC标准进行产品鉴定
行业标准通孔电源包
高载流能力封装
优势
多供应商兼容性
行业标准资质等级
标准引脚可直接更换
增加载流能力
