Parametrics | IRLHM620 |
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Budgetary Price €/1k | 0.38 |
ID (@25°C) max | 40 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Mounting | SMD |
Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 37 W |
Ptot (@ TA=25°C) max | 2.7 W |
Package | PQFN 3.3 x 3.3 |
Polarity | N |
QG (typ @4.5V) | 52 nC |
Qgd | 25 nC |
RDS (on) (@4.5V) max | 2.5 mΩ |
RDS (on) (@10V) max | 2.2 mΩ |
RthJC max | 3.4 K/W |
Tj max | 150 °C |
VDS max | 20 V |
VGS(th) min max | 0.8 V 0.5 V 1.1 V |
VGS max | 12 V |
20V单N通道StrongIRFET™ PQFN 3.3x3.3封装中的功率MOSFET
StrongIRFET™ 功率MOSFET系列针对低RDS(导通)和高电流能力进行了优化。这些设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涉及广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
功能概述
针对分销合作伙伴提供的最广泛的可用性进行了优化
根据JEDEC标准进行产品鉴定
行业标准表面贴装封装
高RDS(on)SuperSO8封装的潜在替代方案
优势
分销合作伙伴的广泛可用性
行业标准资质等级
标准引脚可直接更换
小外形尺寸
应用
电池供电的应用
直流电机驱动